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APT20M45BNR

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APT20M45BNR
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
58A/200V 0.045Ω
模塊
08+/09+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT20M45BNR
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
58A/200V 0.045Ω
模塊
08+/09+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT20M45BNR
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
模塊
08+/09+
-

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247AD

APT20M45BNR 技術(shù)參數(shù)

APT20M38SVRG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 33.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:400 APT20M38SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M38SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M38BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M38BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG

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