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APT20SCD120S

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT20SCD120S
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
185
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APT20SCD120S
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
5
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT20SCD120S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

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1

您是不是要找： APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S

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APT20SCD120S PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Schottky 1.2KV 68A

APT20SCD120S 技術參數

APT20SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:68A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:1135pF @ 0V，1MHz 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT20N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 13.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:30 APT20N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 13.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 APT20M45BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20M45BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S