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CSD19535KTT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD19535KTT
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
29169
22+
-
原裝原廠現貨

CSD19535KTTT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD19535KTT
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD19535KTTT
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3000
TI
TO-2633
15+
-
全新原裝現貨

CSD19535KTT
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TI/德州儀器
TO-263
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

CSD19535KTT
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產品牌，替代進口

CSD19535KTTT
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

CSD19535KTT
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
3000
TI/德州儀器
TO-263
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
98nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
7930pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
3.4 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
封裝/外殼
TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
標準包裝
1

CSD19535KTT 技術參數

CSD19535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:101nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19534Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD19534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD19534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 50V 功率 - 最大值:118W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19533Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.4 毫歐 @ 13A，6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2670pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（5x6）標準包裝:1 CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L