亚洲国产日韩av_精品久久久久久无码中文野结衣_日韩一区视频在线_亚洲视频狠狠_丝袜国产在线_毛片在线免费播放_中文字幕1区2区_亚洲国产综合自拍_在线中文字幕日韩_不卡的av在线播放

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 > C字母第4787頁 >

CSD20168

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD20168
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
470986
Hoffman Enclosures, Inc.
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W

CSD20168 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD20168 PDF下載

制造商
HOFFMAN ENCLOSURES
功能描述
Enclosure;JunctionBox;Wallmount;Steel;Gray;20x16x8 In;NEMA4,12,13;Concept Series
制造商
Pentair Technical Products / Hoffman
功能描述
ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY; Enclosure Type

CSD20168 技術參數

CSD20166 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態:在售容器類型:盒大小/尺寸:20.000" 長 x 15.984" 寬（508.00mm x 406.00mm）高度:5.984"（152.00mm）面積（L x W）:320 in2（2065 cm2）設計:鉸鏈式門，蓋材料:金屬 - 鋼顏色:灰色厚度:18 號特性:密封墊，壁裝等級:IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級:- 發貨信息:從 Digi-Key 運送重量:22 磅（10kg）標準包裝:1 CSD201610 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態:在售容器類型:盒大小/尺寸:20.000" 長 x 15.984" 寬（508.00mm x 406.00mm）高度:10.000"（254.00mm）面積（L x W）:320 in2（2065 cm2）設計:鉸鏈式門，蓋材料:金屬 - 鋼顏色:灰色厚度:18 號特性:密封墊，壁裝等級:IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級:- 發貨信息:從 Digi-Key 運送重量:25 磅（11.3kg）標準包裝:1 CSD19538Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD19538Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD19538Q2T 功能描述:MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT CSD23280F3 CSD23280F3T CSD23285F5 CSD23285F5T CSD23381F4 CSD23381F4T CSD23382F4 CSD23382F4T