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CSD23202W10T

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD23202W10T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD23202W10T
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
6035
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現貨

CSD23202W10T
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
53 毫歐 @ 500mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
512pF @ 6V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
4-UFBGA，DSBGA
供應商器件封裝
4-DSBGA（1x1）
標準包裝
1

CSD23202W10T 技術參數

CSD23202W10 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:53 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:512pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標準包裝:1 CSD23201W10 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:82 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標準包裝:1 CSD22206WT 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2275pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:9-DSBGA（1.5x1.5）封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 標準包裝:1 CSD22205LT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1390pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.9 毫歐 @ 1A， 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:4-PICOSTAR 封裝/外殼:4-XFLGA 標準包裝:1 CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24.6nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440