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BSP317PL6327XT

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BSP317PL6327XT PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANS MOSFET P-CH 250V 0.43A 4PIN SOT-223 - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies
功能描述
Infineon Technologies BSP317PL6327XT MOSFETs

BSP317PL6327XT 技術(shù)參數(shù)

BSP317PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP317PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP317PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP317PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:680mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 680mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 170μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP320SH6433XTMA1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480

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