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BSP321PL6327HTSA1

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BSP321PL6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 100V 0.98A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT-223

BSP321PL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSP321PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:980mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 980mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 380μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:319pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP320SL6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP320SL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP320SH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP320SH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A（Tj）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN BSP3-480-LC BSP372 E6327 BSP372L6327HTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327 BSP373L6327HTSA1 BSP373NH6327XTSA1 BSP41,115 BSP43,115 BSP452 E6327 BSP452HUMA1

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