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BSI058461R0DR26

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BSI058461R0DR26
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
100000
Vishay/Sfernice
ROHS
13+
-
全新原裝正品歡迎來(lái)電400-800-0...

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

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功能描述
線繞電阻器 - 透孔 BSI 58 461U 0,5% 100PPM TR5000 e1
RoHS
否
制造商
Bourns
電阻
10 Ohms
容差
5 %
功率額定值
7 W
溫度系數(shù)
200 PPM / C
系列
FW
端接類型
Axial
工作溫度范圍
- 55 C to + 155 C
尺寸
9.5 mm Dia. x 26 mm L
封裝
Ammo
產(chǎn)品
Power Resistors Wirewound High Energy

BSI058461R0DR26 技術(shù)參數(shù)

BSHORTNOSE 功能描述:PLIERS COMBO SHORT NOSE 6.5" 制造商:jonard tools 系列:- 零件狀態(tài):有效工具類型:組合尖頭 - 類型:短嘴尖頭 - 形狀:成角度鉗口?- 類型:有齒特性:壓槽，包括剝線器，軟握把長(zhǎng)度:6.50"（165.1mm）重量:0.4 磅（181.44g）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSH207,135 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.52A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:500pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH205G2VL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSH205G2R 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:750mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL205NL6327HTSA1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNL6327HTSA1

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