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BSL211SPL6327HTSA1

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6

BSL211SPL6327HTSA1 技術參數

BSL211SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:P-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL211SP 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:P-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL207SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1007pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL207SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1007pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:P-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL207SP 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1007pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL303SPEH6327XTSA1 BSL305SPEH6327XTSA1 BSL306NH6327XTSA1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEL6327HTSA1 BSL315PL6327HTSA1 BSL316CH6327XTSA1 BSL316CL6327HTSA1 BSL372SNH6327XTSA1

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