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APT100GF60B2R

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT100GF60B2R
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT100GF60B2R
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT100GF60B2R
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
12848
APT
直插/貼片
2025+
-
代理商庫房現貨

APT100GF60B2R
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
PLUS247
25+
-
國產品牌，替代進口

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1

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APT100GF60B2R PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT100GF60B2R PDF下載

制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

APT100GF60B2R 技術參數

APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:103A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:620nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:100A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100DL60BG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:100A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.6V @ 100A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 APT10090BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT10090BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG