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APT10SCD120K

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT10SCD120K
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220-2L
25+
-
國產品牌，替代進口

APT10SCD120K
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
726
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT10SCD120K
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現貨電話010-6210493...

APT10SCD120K
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共10條
1

您是不是要找： APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT10SCD120K 技術參數

APT10SCD120BCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:600pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:600pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:142A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 71A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT10M11JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:142A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 71A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT10M11B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? 標準包裝:30 APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S