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2SC2755-T1B

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2SC2755-T1B 技術參數

2SC2714-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2714-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2713-GR,LF 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 2SC2713-BL,LF 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 2SC2712-Y,LF 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2881-O-TP 2SC2921 2SC2922 2SC29250SA 2SC2988 2SC3063 2SC3074-O(Q) 2SC3074-Y(Q) 2SC31300QL 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M 2SC3263 2SC3264 2SC3265-Y,LF 2SC3284 2SC3311A0A 2SC3311AQA 2SC3311ARA