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2SA2009GSL

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2SA2009GSL 技術(shù)參數(shù)

2SA20090SL 功能描述:TRANS PNP 120V 0.02A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:260 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA2007E 功能描述:TRANS PNP 60V 12A TO220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:320 @ 2A，2V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SA1978-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L 2SA207800L 2SA2078G0L

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