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2N7002CT-ND

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2N7002CT-ND 技術參數

2N7002CKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:10,000 2N7002CK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:275mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002BKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:340mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3