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2N7002-D87Z

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
Digi-Key 停止供應(yīng)
FET 類(lèi)型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
115mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
50pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
7.5 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23（TO-236AB）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本零件編號(hào)
2N7002
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

2N7002-D87Z 技術(shù)參數(shù)

2N7002CKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 2N7002CK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:310mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:275mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002BKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:340mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G

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