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2N5475

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2N5475
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
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地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
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2N5475 技術參數

2N5462G 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:1,000 2N5462_D27Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5462 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5461RLRAG 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5461RLRA 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG 2N5545JTX01 2N5545JTXL01 2N5545JTXV01 2N5546JTX01 2N5546JTXL01 2N5546JTXV01 2N5547JTX01 2N5547JTXL01 2N5547JTXV01 2N5550 2N5550_D26Z