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2N5550BU

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數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

2N5550BU
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
FAIRCHILD
TO-92
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

2N5550BU
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
FS
★全新★
●最新批號(hào)●
-
假一罰十，百分百原裝正品，質(zhì)量保障

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N5550BU 技術(shù)參數(shù)

2N5550_J24Z 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 2N5550_D26Z 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5550 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 2N5547JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應(yīng)商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N5547JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應(yīng)商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA 2N5551RLRAG 2N5551RLRM 2N5551RLRMG 2N5551RLRP

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