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1N5262B-TR/BKN

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
ZENER-DIODE 0.5W, 5%, DO-35, CUT TAPE

1N5262B-TR/BKN 技術(shù)參數(shù)

1N5262B-TR 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5262B-TP 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5262B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 2.5A 51V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5262BTA 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 37V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5262B-T50A 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 基本零件編號(hào):1N5262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5263B BK 1N5263B TR 1N5263B_T50A 1N5263B_T50R 1N5263BDO35 1N5263B-T 1N5263B-T50R 1N5263B-TAP 1N5263B-TP 1N5263B-TR 1N5263BUR-1 1N5263C-TAP 1N5263C-TR 1N5264 1N5264A 1N5264A (DO-35) 1N5264B 1N5264B (DO-35)

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