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STW58N60DM2AG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STW58N60DM2AG
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO247
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STW58N60DM2AG
天陽誠業(yè)科貿有限公司
天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
357252
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STW58N60DM2AG
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業(yè)執(zhí)照
357252
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STW58N60DM2AG
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
357252
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

STW58N60DM2AG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-247
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STW58N60DM2AG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
6008
ST/意法半導體
TO-247-3
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發(fā)票

1/1頁 40條/頁共40條
1

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STW58N60DM2AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STW58N60DM2AG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 50A
制造商
stmicroelectronics
系列
汽車級，AEC-Q101，MDmesh?
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
60 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
90nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
4100pF @ 100V
功率 - 最大值
360W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
標準包裝
30

STW58N60DM2AG 技術參數

STW57N65M5-4 功能描述:MOSFET N CH 650V 42A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:30 STW57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56NM60N 功能描述:MOSFET N CH 600V 45A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56N65M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:62 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:30 STW56N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:62 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5