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STW56N65M2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STW56N65M2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2470
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原裝現貨

STW56N65M2
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-247
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STW56N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STW56N65M2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-247
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STW56N65M2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6005
ST/意法半導體
TO-247-3
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STW56N65M2
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
2500
ST
N/A
N/A
-
國內8號倉庫專員13911315253

STW56N65M2-4
深圳市寶芯創電子有限公司
深圳市寶芯創電子有限公司
聯系人：田女生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規13%專
資質：營業執照
59990
ST/意法半導體
TO-247-4
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

1/1頁 40條/頁共20條
1

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STW56N65M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包裝
管件
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
49A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
62 毫歐 @ 24.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
93nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
3900pF @ 100V
功率 - 最大值
358W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
標準包裝
30

STW56N65M2 技術參數

STW56N65DM2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:30 STW56N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW5630/JDR18BDR 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態:過期類型:- 顏色:- CCT（K）:- 波長:- 配置:- 通量 @ 電流/溫度 -測試:- 電流 - 測試:- 溫度 - 測試:- 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 不同測試電流時的流明/瓦:- 電流 - 最大值:- CRI（高顯色指數）:- 視角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 發光面（LES）:- 透鏡類型:- 標準包裝:1 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20