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STP20N60M2-EP

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STP20N60M2-EP
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區華富路1006號航都大廈11樓一層
資質：營業執照
50000
ST/意法
ST-2020
22+
-
原廠原裝現貨

STP20N60M2-EP
現貨
上海航霆電子技術有限公司
上海航霆電子技術有限公司
聯系人：林生18701789587
電話：0755-8374259418701789587
地址：上海徐匯區漕溪路222號航天大廈16層
3450
STM
SOP
18+
-
全新原廠原裝正品，只做原裝，可開增票

STP20N60M2-EP
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STP20N60M2-EP
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STP20N60M2-EP
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
5750
ST/意法
NA
22+
-
可訂貨，請確認

STP20N60M2-EP
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
3450
STM
TO-220-3
18+
-
原裝現貨，假一賠百,支持實單

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STP20N65M5 STP20N90K5 STP20N95K5 STP20NE06L STP20NF06 STP20NF06L STP20NF20 STP20NK50Z STP20NM50

STP20N60M2-EP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP20N60M2-EP 技術參數

STP20N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:940pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200NF04L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200NF04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:210nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:310W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200NF03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4950pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP20NM50FD STP20NM50FP STP20NM60 STP20NM60A STP20NM60FD STP20NM60FP STP20NM65N STP210N75F6 STP21N65M5 STP21N90K5 STP21NM50N STP21NM60N STP21NM60ND STP220N6F7 STP22NF03L STP22NM60N STP22NS25Z STP23N80K5