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PSMN040-200W,127

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功能描述
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN040-200W,127 技術參數

PSMN040-100MSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1470pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:91W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36.6 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 PSMN039-100YS,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28.1A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1847pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:74W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN038-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1905pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:94.9W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37.5 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 PSMN035-150P,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN035-150B,118 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN070-200B,118 PSMN070-200P,127 PSMN075-100MSEX PSMN085-150K,518 PSMN0R7-25YLDX PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30YLDX PSMN102-200Y,115 PSMN130-200D,118 PSMN165-200K,518 PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40YLDX PSMN1R1-25YLC,115