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PSMN1R5-30YL,115

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說明
操作

PSMN1R5-30YL,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN1R5-30YL,115
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
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PSMN1R5-30YL,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CHAN 30V 100A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN1R5-30YL,115 技術參數

PSMN1R5-30BLEJ 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:228nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14934pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:401W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN1R5-25YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4830pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:109W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R4-40YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:96nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6661pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R4-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:166W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.42 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R3-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6227pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:121W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023，4-LFPAK 標準包裝:1 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-30BL,118 PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PSRQ