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PMV1-4RB-CY

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說明
操作

PMV1-4RB-CY
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Panduit Corp
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品，

PMV1-4RB-CY
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A
752341
Panduit Corp
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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功能描述
端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated
RoHS
否
制造商
AVX
產(chǎn)品
Junction Box - Wire to Wire
系列
9826
線規(guī)
26-18
接線柱/接頭大小
絕緣
顏色
Red
型式
Female
觸點(diǎn)電鍍
Tin over Nickel
觸點(diǎn)材料
Beryllium Copper, Phosphor Bronze
端接類型
Crimp

PMV1-4RB-CY 技術(shù)參數(shù)

PMV130ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.1A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:170pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV120ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.1A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:275pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:513mW（Ta）, 6.4W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:123 毫歐 @ 2.1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV117EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:117 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:147pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV100XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:386pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:463mW（Ta）, 1.9W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:128 毫歐 @ 2.4A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV100ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 4.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV1-6RB-XY PMV16UN,215 PMV16XNR PMV170UN,215 PMV185XN,215 PMV1-P10-CY PMV1-P12B-3K PMV2024GY PMV20ENR PMV20XN,215 PMV20XNEAR PMV20XNER PMV213SN,215 PMV22EN,215 PMV230ENEAR PMV2-35RB-3K PMV2-3FB-3K PMV2-3FB-C

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