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PMV25ENEAR

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型號
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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

PMV25ENEAR
優勢
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
20000
NXP
SOT23
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

PMV25ENEAR
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NXP/恩智浦
SOT23
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PMV25ENEAR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
597pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
460mW（Ta）, 6.94W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
24 毫歐 @ 5.5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
標準包裝
1

PMV25ENEAR 技術參數

PMV250EPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:450pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 1.3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV230ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:177pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 1.45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:222 毫歐 @ 1.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV22EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 5.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:480pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PMV213SN,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:280mW（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV20XNER 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 5.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV2-6RB-X PMV27UPEAR PMV27UPER PMV280ENEAR PMV28UN,215 PMV28UNEAR PMV2-P10-C PMV2-P12B-3K PMV3036GY PMV30UN,215 PMV30UN2R PMV30UN2VL PMV30XN,215 PMV30XPEAR PMV31XN,215 PMV32UP,215 PMV33UPE,215 PMV35EPER