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DFE252010R-H-2R2M=P2

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252010R-H-2R2M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252010R-H-2R2M=P2
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
778629
Murata Electronics
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

DFE252010R-H-2R2M=P2
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
215610
MURATA
2025+
-

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1

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DFE252010R-H-2R2M=P2 PDF下載

功能描述
2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 126 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252010R
包裝
*
零件狀態
新產品
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
2.2μH
容差
±20%
額定電流
1.7A
電流 - 飽和值
2.1A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
126 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
*
封裝/外殼
*
大小/尺寸
*
高度 - 安裝（最大值）
*
標準包裝
1

DFE252010R-H-2R2M=P2 技術參數

DFE252010R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:90 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 68 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:68 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:4.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 5A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:35 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:29 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012F-R33M=P2 DFE252012F-R47M=P2 DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3

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配單專線：0755-84864007
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配單專線：0755-83353220

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