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DFE252012F-R82M=P2

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252012F-R82M=P2
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
535833
Murata Electronics
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

DFE252012F-R82M=P2
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
215610
muRata(村田)
1008
2025+
-

DFE252012F-R82M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252012F-R82M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
MURATA/村田
SMD
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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DFE252012F-R82M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE252012F-R82M=P2 PDF下載

功能描述
820nH Shielded Inductor 3.6A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012F
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
-
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
820nH
容差
±20%
額定電流
3.6A
電流 - 飽和值
5.4A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
35 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.047"（1.20mm）
標準包裝
1

DFE252012F-R82M=P2 技術參數

DFE252012F-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Inductor 3.9A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3.9A 電流 - 飽和值:6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:31 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Inductor 4.9A 23 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4.9A 電流 - 飽和值:7.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:23 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Inductor 5.1A 19 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.1A 電流 - 飽和值:8.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:19 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-8R2M=P2 功能描述:8.2μH Shielded Inductor 1.1A 410 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:410 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 1.2A 330 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:330 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3

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