亚洲国产日韩av_精品久久久久久无码中文野结衣_日韩一区视频在线_亚洲视频狠狠_丝袜国产在线_毛片在线免费播放_中文字幕1区2区_亚洲国产综合自拍_在线中文字幕日韩_不卡的av在线播放

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2568頁 >

APTM10DHM09TG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G

APTM10DHM09TG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTM10DHM09TG PDF下載

功能描述
MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM10DHM09TG 技術參數

APTM10DHM05G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:278A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 125A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DDAM19T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM10DDAM09T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:139A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM10DAM05TG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:278A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 125A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10DAM02G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:495A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 200A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G APTM120DA29TG APTM120DA30CT1G APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G