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APTM10DAM05TG

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APTM10DAM05TG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG

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APTM10DAM05TG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM10DAM05TG 技術(shù)參數(shù)

APTM10DAM02G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:495A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 200A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM10AM05FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:278A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 125A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM10AM02FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:495A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 200A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100UM65SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:145A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1068nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:28500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3250W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP6 封裝/外殼:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100UM65SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:145A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G

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