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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2627 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2SK2627 |
2SK2627
No.6228–3/4
ID=5A
A S O
PD
-
Tc
IDP=20A
<1
μ
s
1ms
10
μ
s
100
μ
s
10ms
Tc=25
°
C
Single pulse
3
Ciss,Coss,Crss
-
VDS
Ciss
Coss
Crss
IF
-
VSD
T
-
2
°
C
2
°
C
7
°
C
f=1MHz
VGS(off)
-
Tc
VDS=10V
ID=1mA
VDD=200V
VGS=15V
1
2
3
4
6
5
0
-
60
-
40
-
20
20
40
80
100
140
0
Case Temperature,Tc – C
120
160
60
2
3
5
7
2
3
5
7
100
10
1.0
2
2
5
7
1.0
10
3
5
7
3
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
0.1
1.0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1.0
2
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
3
5
10
2
3
5
7
10
100
2
3
5
7
2
5
7
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
1000
5
0
10
15
20
25
30
35
40
45
0
20
40
Case Temperature, Tc – C
60
80
120
100
140
160
2
3
5
7
2
2
3
5
7
100
1000
100
4
8
12
16
20
24
28
32
DCoperation
Operation in this area
is limited by RDS(on).
SW Time
-
ID
td(on)
tr
td(off)
tf
RDS(on)
-
VGS
RDS(on)
-
Tc
ID=5.0A
Tc=25
°
C
ID=2.5A
VGS=10V
2.5A
1.0A
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.00
4
8
12
16
24
20
1
2
3
4
5
0
-
60
-
20
20
60
140
160
100
-
40
0
Case Temperature, Tc – C
40
120
80
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
S
O
D
S
O
D
C
S
Drain Current, I
D
– A
D
F
Diode Forward Voltage, VSD – V
C
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
D
D
A
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2631 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2684 | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
| 2SK2684L | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
| 2SK2734 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2735L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK2638-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2640 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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