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ZXMN3A02X8TC

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批號
價格
說明
操作

ZXMN3A02X8TC..
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
20000
Z
MSOP84K
15+
-
全新原裝現貨

ZXMN3A02X8TC
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
56200
Diodes
MSOP-8
新年份
-
一級代理原裝現貨假一罰十!

1/1頁 40條/頁共14條
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功能描述
MOSFET 30V N Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ZXMN3A02X8TC 技術參數

ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 11A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標準包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FTA ZXMN3AM832TA ZXMN3AMCTA ZXMN3B01FTA ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TC ZXMN3B14FTA ZXMN3F30FHTA ZXMN3F31DN8TA ZXMN3G32DN8TA ZXMN4A06GTA ZXMN4A06KTC ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTC ZXMN6A07ZTA ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6TA