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TE50B6R8J

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操作

TE50B6R8J
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5050
TE Connectivity / Holswor
ROHS
1239+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

TE50B6R8J
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
885971
TE Connectivity Passive P
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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功能描述
線繞電阻器 - 底架安裝 TE 50W 6R8 5% Bracket
RoHS
否
制造商
Vishay/Dale
電阻
7 Ohms
容差
1 %
功率額定值
100 W
溫度系數(shù)
50 PPM / C
系列
RH
工作溫度范圍
- 55 C to + 250 C
尺寸
46.02 mm Dia. x 46.02 mm W x 88.9 mm L x 44.45 mm H
封裝
Bulk
產(chǎn)品
Power Resistors Wirewound Aluminum Housed

TE50B6R8J 技術(shù)參數(shù)

TE500B22RJ 功能描述:RES CHAS MNT 22 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:22 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B220RJ 功能描述:RES CHAS MNT 220 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:220 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B10RJ 功能描述:RES CHAS MNT 10 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:10 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B100RJ 功能描述:RES CHAS MNT 100 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:100 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE48F4400P0VB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE600 TE600B100RJ TE600B10RJ TE600B120RJ TE600B12RJ TE600B150RJ TE600B15RJ TE600B180RJ TE600B18RJ TE600B1K0J TE600B1K2J TE600B1K5J TE600B1K8J TE600B1R0J TE600B1R2J TE600B1R5J TE600B1R8J TE600B220RJ

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