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STV2248E-C

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STV2248E-C
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
ST
DIP-56P
01+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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STV2248E-C 技術參數

STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV200N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:600 STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:1 系列:- 類型:調幀器應用:數據傳輸安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:400-BBGA 供應商設備封裝:400-PBGA（27x27）包裝:散裝 STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02