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STS9311B

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STS9311B
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
5002
N/A
DIP
2025+
-
絕對現貨

STS9311B
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
200
STS
DIP
2012+
-
只做原裝正品。

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1

您是不是要找： STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA

STS9311B PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STS9311B 技術參數

STS8N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 4A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 STS8DNH3LL 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:857pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS8DNF3LL 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS8DN6LF6AG 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS8DN3LLH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:724pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4 STSB43AB23PDT STSC1 STSD-002GG-P0.6(LF)(SN) STSJ100NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL STSMIA832TBR STSPIN230 STSPIN240 STSPIN250 STSPIN32F0 STSPIN32F0A