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STS-3000-0.18-44#

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STS-3000-0.18-44# 技術(shù)參數(shù)

STS2DPFS20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:315pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS2DPF80 功能描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:739pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS2DNF30L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:121pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS26N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS25NH3LL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS4DNF60 STS4DNF60L STS4DNFS30 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L

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