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STBB1XX

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STBB1XX 技術參數

STBB1PUR 功能描述:直流/直流開關轉換器 VOLT REG / INTERFACE RoHS:否制造商:STMicroelectronics 最大輸入電壓:4.5 V 開關頻率:1.5 MHz 輸出電壓:4.6 V 輸出電流:250 mA 輸出端數量:2 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT STBB1-APUR 功能描述:直流/直流開關轉換器 1A High EFF DC DC 1.5MHz 2.0V to 5.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 最大輸入電壓:4.5 V 開關頻率:1.5 MHz 輸出電壓:4.6 V 輸出電流:250 mA 輸出端數量:2 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT STB9NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2115pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB9NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB9NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1110pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STBC08PMR STBC21FTR STBCFG01JR STBP110CVDJ6F STBP110ETDJ6F STBP110GTDJ6F STBP112CVDJ6F STBP120AVDK6F STBP120BVDK6F STBP120CVDK6F STBP120DVDK6F STBR3012W STBR3012WY STBR6012W STBR6012WY STBV32-AP STBV32G STBV32G-AP