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SI8235BA-E-IS1

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SI8235BA-E-IS1 PDF下載

制造商
Silicon Laboratories Inc
功能描述
2.5KV 4A DUAL LOW SIDE ISOLATED DRIVER ("ISODRIVER"), NB SOI - Bulk

SI8235BA-E-IS1 技術(shù)參數(shù)

SI8235AD-D-IS3 功能描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM 制造商:silicon labs 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q100 包裝:管件零件狀態(tài):在售技術(shù):容性耦合通道數(shù):2 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:45kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:60ns，60ns 脈寬失真（最大）:5.6ns 上升/下降時(shí)間（典型值）:12ns，12ns 電流 - 輸出高，低:2A，4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:6.5 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:14-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 認(rèn)可:CQC，CSA，UR，VDE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:46 SI8235AB-D-IM1 功能描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER 制造商:silicon labs 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q100 包裝:管件零件狀態(tài):在售技術(shù):容性耦合通道數(shù):2 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:45kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:60ns，60ns 脈寬失真（最大）:5.6ns 上升/下降時(shí)間（典型值）:12ns，12ns 電流 - 輸出高，低:2A，4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:6.5 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:14-VQFN 認(rèn)可:CQC，CSA，UR，VDE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 SI8234BD-C-IS 功能描述:4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 16-SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q100 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期技術(shù):容性耦合通道數(shù):2 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:20kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:60ns，60ns 脈寬失真（最大）:5.6ns 上升/下降時(shí)間（典型值）:12ns，12ns（最大）電流 - 輸出高，低:2A，4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電流 - DC 正向（If）:- 電壓 - 電源:9.4 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 認(rèn)可:CQC，CSA，UR，VDE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:46 SI8234BB-D-IM1 功能描述:ISOLATED GATE DRIVER 制造商:silicon labs 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q100 包裝:管件零件狀態(tài):在售技術(shù):容性耦合通道數(shù):2 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:45kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:60ns，60ns 脈寬失真（最大）:5.6ns 上升/下降時(shí)間（典型值）:12ns，12ns 電流 - 輸出高，低:2A，4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:6.5 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:14-VQFN 認(rèn)可:CQC，CSA，UR，VDE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 SI8234BB-C-IS1 功能描述:4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q100 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期技術(shù):容性耦合通道數(shù):2 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:20kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:60ns，60ns 脈寬失真（最大）:5.6ns 上升/下降時(shí)間（典型值）:12ns，12ns（最大）電流 - 輸出高，低:2A，4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電流 - DC 正向（If）:- 電壓 - 電源:9.4 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 認(rèn)可:CQC，CSA，UR，VDE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SI8235BB-D-IMR SI8235BB-D-IS SI8235BB-D-IS1 SI8235BB-D-IS1R SI8235BB-D-ISR SI8235BD-C-IS SI8235BD-C-ISR SI8235BD-D-IS SI8235BD-D-IS3 SI8235BD-D-IS3R SI8235BD-D-ISR SI8235-B-IS SI8236AA-C-IM SI8236AA-C-IMR SI8236AA-D-IM SI8236AA-D-IMR SI8236BA-C-IM SI8236BA-C-IMR

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