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S286I1201

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S286I1201 技術(shù)參數(shù)

S27KS0641DPBHV023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 S27KS0641DPBHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 S27KS0641DPBHI023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 S27KS0641DPBHI020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 S27KL0641DABHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DRAM 存儲容量:64M（8M x 8）速度:100MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）封裝/外殼:24-VBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 S29AL008J55BFIR20 S29AL008J55BFIR22 S29AL008J55BFIR23 S29AL008J55TFAR20 S29AL008J55TFAR23 S29AL008J55TFIR10 S29AL008J55TFIR20 S29AL008J55TFIR23 S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR20 S29AL008J70BAI010 S29AL008J70BAI012 S29AL008J70BAI020 S29AL008J70BAN020 S29AL008J70BFA010 S29AL008J70BFA020 S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI013

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