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S2800M-AS

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S2800M-AS 技術(shù)參數(shù)

S27KS0641DPBHV023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 S27KS0641DPBHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 S27KS0641DPBHI023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 S27KS0641DPBHI020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 S27KL0641DABHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DRAM 存儲容量:64M（8M x 8）速度:100MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）封裝/外殼:24-VBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA（6x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 S280W555-510 S280W555-514 S280W555-516 S280W555-522 S280W555-526 S280W555-5506 S280W555-602 S280W555-604 S280W555-606 S280W555-608 S280W555-610 S280W555-614 S280W555-616 S280W555-700 S280W555-702 S280W555-704 S280W555-705 S280W555-712

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