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PMPB20UN115

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PMPB20UN115 技術參數

PMPB20UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）標準包裝:1 PMPB20SNAX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:460pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB20LNAX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:637pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB20EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.5 毫歐 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB19XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 7.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX PMP-BUCKET

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