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PMGD400UN,115/BKN

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PMGD400UN,115/BKN 技術(shù)參數(shù)

PMGD400UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:710mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD370XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:740mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD290XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD290UCEAX 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:725mA，500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD280UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:870mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V PMH-10H-DC12V PMH-10H-DC24V PMH-10M-AC120V PMH-10M-AC240V PMH-10M-AC24V PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V PMH1206-121 PMH1206-300 PMH1206-601 PMH1206-700

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