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PMGD280UN/T0663A04

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PMGD280UN/T0663A04111
深圳市華芯盛世科技有限公司
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電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
NXP
SOT363
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電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業執照
60
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363
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PMGD280UN/T0663A04 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMGD280UN/T0663A04 技術參數

PMGD280UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:870mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD175XNEX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:870mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:252 毫歐 @ 900mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:81pF @ 15V 功率 - 最大值:260mW（Ta）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD175XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:900mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:75pF @ 15V 功率 - 最大值:390mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD130UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:390mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMG85XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:560pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375mW（Ta），2.4W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:115 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 標準包裝:1 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V PMH-10H-DC12V PMH-10H-DC24V PMH-10M-AC120V PMH-10M-AC240V PMH-10M-AC24V PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V

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