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PMG8218VP/SRF

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PMG8218VP/SRF 技術(shù)參數(shù)

PMG45UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3A SOT363 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:184pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMFPB8040XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管（隔離式）功率耗散（最大值）:485mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMFPB8032XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管（隔離式）功率耗散（最大值）:485mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMFPB6545UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMFPB6532UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD370XN,115 PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD8000LN,115 PMH0603-100 PMH0603-100-RC PMH0603-300 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V

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