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NRW2012ADF6

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NRW2012ADF6 技術參數

NRV3012T6R8MV 功能描述:FIXED IND 6.8UH 800MA 300 MOHM 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:40MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.118" 長 x 0.118" 寬（3.00mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 NRV3012T4R7MV 功能描述:FIXED IND 4.7UH 1.04A 190 MOHM 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.04A 電流 - 飽和值:1.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:190 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:48MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.118" 長 x 0.118" 寬（3.00mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 NRV3012T3R3MV 功能描述:FIXED IND 3.3UH 1.26A 150 MOHM 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.26A 電流 - 飽和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:55MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.118" 長 x 0.118" 寬（3.00mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 NRV3012T2R2MV 功能描述:FIXED IND 2.2UH 1.33A 120 MOHM 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.33A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:120 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:70MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.118" 長 x 0.118" 寬（3.00mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 NRV3012T1R5NV 功能描述:FIXED IND 1.5UH 1.61A 75 MOHM 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:1.61A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:75 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:92MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.118" 長 x 0.118" 寬（3.00mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 NS10 NS1010 NS1010S NS10145T100MNA NS10145T100MNV NS10145T101MNA NS10145T101MNV NS10145T102MNA NS10145T102MNV NS10145T150MNA NS10145T150MNV NS10145T151MNA NS10145T151MNV NS10145T152MNA NS10145T152MNV NS10145T1R0NNA NS10145T1R0NNV NS10145T1R5NNA