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NLV32T-680J-EFD

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NLV32T-680J-EFD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

NLV32T-680J-EFD
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
701215
TDK Corporation
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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功能描述
68μH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 9 Ohm Max 1210 (3225 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
NLV-EFD
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
停產
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
68μH
容差
±5%
額定電流
50mA
電流 - 飽和值
-
屏蔽
無屏蔽
DC 電阻（DCR）
9 歐姆最大
不同頻率時的 Q 值
30 @ 2.52MHz
頻率 - 自諧振
12MHz
等級
AEC-Q200
工作溫度
-40°C ~ 105°C
頻率 - 測試
2.52MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1210（3225 公制）
大小/尺寸
0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.094"（2.40mm）
標準包裝
1

NLV32T-680J-EFD 技術參數

NLV32T-680J-EF 功能描述:68μH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 9 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±5% 額定電流:50mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:12MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-5R6J-PF 功能描述:5.6μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:5.6μH 容差:±5% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:45MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-5R6J-EFD 功能描述:5.6μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:5.6μH 容差:±5% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:45MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-5R6J-EF 功能描述:5.6μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:5.6μH 容差:±5% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:45MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-560J-PF 功能描述:56μH Unshielded Wirewound Inductor 55mA 8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:56μH 容差:±5% 額定電流:55mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:8 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:13MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-820J-PFD NLV32T-8R2J-EF NLV32T-8R2J-EFD NLV32T-8R2J-PF NLV32T-8R2J-PFD NLV32T-R10J-EF NLV32T-R10J-EFD NLV32T-R10J-PF NLV32T-R10J-PFD NLV32T-R10K-PF NLV32T-R12J-EF NLV32T-R12J-EFD NLV32T-R12J-PF NLV32T-R12J-PFD NLV32T-R15J-EF NLV32T-R15J-EFD NLV32T-R15J-PF NLV32T-R15J-PFD