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NAND08GR3B4CN6

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NAND08GR3B4CN6 技術(shù)參數(shù)

NAND08GAH0JZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND08GAH0FZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND08GAH0BZA5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND04GW3C2BN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND04GW3B2DN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E NAND16GW3B6DPA6E NAND16GW3B6DPA6F NAND16GW3B6DPA6F TR NAND16GW3D2BN6E NAND16GW3F2AN6E NAND256R3A2BZA6E NAND256W3A0AN6 NAND256W3A0AN6E NAND256W3A0AN6F NAND256W3A0BE06 NAND256W3A0BN6E NAND256W3A0BN6F TR NAND256W3A0BZA6E

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