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LTC4444EMS8E#PBF/I/H

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LTC4444EMS8E#PBF/I/H
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LTC4444EMS8E#PBF/I/H 技術參數

LTC4444EMS8E#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) LTC4442IMS8E-1#TRPBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4442IMS8E-1#PBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4442IMS8E#TRPBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4442IMS8E#PBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4444IMS8E-5#PBF LTC4444IMS8E-5#TRPBF LTC4444MPMS8E#PBF LTC4444MPMS8E#TRPBF LTC4444MPMS8E-5#PBF LTC4444MPMS8E-5#TRPBF LTC4446EMS8E#PBF LTC4446EMS8E#TRPBF LTC4446IMS8E#PBF LTC4446IMS8E#TRPBF LTC4447EDD#PBF LTC4447IDD#PBF LTC4449EDCB#TRMPBF LTC4449EDCB#TRPBF LTC4449IDCB#TRMPBF LTC4449IDCB#TRPBF LTC4555EUD#PBF LTC4555EUD#TRPBF

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