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LTC4442EMS8E#PBF/IMS8E

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LTC4442EMS8E#PBF/IMS8E 技術參數

LTC4442EMS8E#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:半橋輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M LTC4441MPMSE#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4441MPMSE#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4441IS8-1#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4441IS8-1#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4444EMS8E-5#PBF LTC4444EMS8E-5#TRPBF LTC4444HMS8E#PBF LTC4444HMS8E#TRPBF LTC4444HMS8E-5#PBF LTC4444HMS8E-5#TRPBF LTC4444IMS8E#PBF LTC4444IMS8E#TRPBF LTC4444IMS8E-5#PBF LTC4444IMS8E-5#TRPBF LTC4444MPMS8E#PBF LTC4444MPMS8E#TRPBF LTC4444MPMS8E-5#PBF LTC4444MPMS8E-5#TRPBF LTC4446EMS8E#PBF LTC4446EMS8E#TRPBF LTC4446IMS8E#PBF LTC4446IMS8E#TRPBF

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