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LBR2012T100K-T

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LBR2012T100K-T 技術參數

LBR2012T100K 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 360 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:taiyo yuden 系列:LB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:360 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:32MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm）標準包裝:1 LBP01-0810B 功能描述:IC BYPASS SWITCH LED UNI SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:LBP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術:LED 分流器功率（W）:- 電路數:1 應用:LED 保護封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 標準包裝:1 LBP01-0803SC5 功能描述:IC BYPASS SWITCH LED UNI SOT23-5 制造商:stmicroelectronics 系列:LBP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術:LED 分流器功率（W）:- 電路數:1 應用:LED 保護封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SOT-23-5 標準包裝:1 LBN150B01-7 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:360mV @ 20mA，200mA / 500mV @ 20mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，1V / 32 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:1 LBMF1608T4R7M 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 240 mOhm 0603 (1608 Metric) 制造商:taiyo yuden 系列:LB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:110mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:240 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:45MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0603（1608 公制）大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 LBR2012T220M LBR2012T2R2M LBR2012T2R2MV LBR2012T470K LBR2012T470KV LBR2012T470M LBR2012T4R7M LBR2012T4R7MV LBR2518T100K LBR2518T100KV LBR2518T100M LBR2518T101K LBR2518T101KV LBR2518T101M LBR2518T1R0M LBR2518T1R0MV LBR2518T220K LBR2518T220KV