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IXHQ100

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說明
操作

IXHQ100SI
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
IXYSCORPORATION
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

IXHQ100SI
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
聯系人：李小姐/肖先生
電話：0755-8257149682571956
地址：賽格廣場69樓6900
資質：營業執照
15125
IXYS
原廠封裝
21+
-
★假一賠十!絕對原裝現貨市場最低價！★

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IXHQ100 PDF下載

制造商
IXYS
制造商全稱
IXYS Corporation
功能描述
Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter

IXHQ100 技術參數

IXH611S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXH611S1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXH611P1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXIDM1401_1505_O IXI-P041205 IXI-P041259 IXI-P042702 IXJ611P1 IXJ611S1 IXJ611S1T/R IXK611P1 IXK611S1 IXK611S1T/R IXKC13N80C IXKC15N60C5 IXKC19N60C5 IXKC20N60C IXKC23N60C5 IXKC25N80C IXKC40N60C IXKF40N60SCD1